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杨少延

中国科学院半导体研究所

研究员

专业能力信息

职称

研究领域 半导体材料科学;宽禁带和超宽禁带半导体低材料、器件及物理研究;大失配异质外延衬底制备技术研究;新型半导体光电器件设计制备技术研究

专利论文 代表性论文及专利： 1.杨少延等，中国发明专利：氮化铝单晶材料制备方法，专利号：201210332652.6，申请日: 2012.9.10 2.王建霞，杨少延等, 中国发明专利：一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法, 专利号：201210325765.3，申请日: 2012.9.5 3.赵桂娟，杨少延等, 中国发明专利：制备非极性A面GaN薄膜的方法，专利号：201210313725.7，申请日: 2012.8.29 4.张志成，杨少延等，中国发明专利：一种氢致解耦合的异质外延用柔性衬底，专利号：ZL03155388.5，申请日期：2003.08.28，授权公告日：2007.10.24 5.杨少延等，中国发明专利：低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法，专利号:ZL200410044605.7，申请日: 2004.5.14,授权日：2007.8.15 6.杨少延等，中国发明专利：一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法，专利号：ZL200410101884.6，申请日: 2004.12.30, 授权日：2008.10.8 7.杨少延等，中国发明专利:利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法，专利号：ZL200610003072.7，申请日: 2006.2.8 ，授权日：2008.10.8 8.杨少延等，中国发明专利：一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料，专利号：ZL200610169750.7，申请日: 2006.12.28，授权日：2009.9.30 9.杨少延等，中国发明专利: 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法，专利号：ZL200610169751.1，申请日: 2006.12.28，授权日：2010.2.17 10.郭严等，发明专利：一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法，专利号：201010157637.3，申请日：2010.4.21，授权日：2011.10.5 11.杨少延，邀请报告：硅衬底氮化镓材料发展节能新技术的机遇与挑战，2013年第十二届国际真空展览会真空学术论坛，2013年5月15-16日，地点：国家会议中心，主办单位：中国真空学会，北京真空学会。 12.Xiaoqing Xu, Yang Li, Jianming Liu, Hongyuan Wei, Xianglin Liu, Shaoyan Yang*, Zhanguo Wang, Huanhua Wang , X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates, Appl. Phys. Lett., 102, 132104 (2013) 13.Changbo Liu, Guijuan Zhao, Guipeng Liu, Yafeng Song, Heng Zhang, Dongdong Jin, Zhiwei Li, Xianglin Liu, Shaoyan Yang*, Qinsheng Zhu, Zhanguo Wang, Scattering due to large cluster embedded in quantum wells, Appl. Phys. Lett. 102, 052105 (2013) 14.Changbo Liu, Shaoyan Yang*, Kai Shi, Guipeng Liu, Heng Zhang, Dongdong Jin, Chengyan Gu, Guijuan Zhao, Ling Sang, Xianglin Liu, Qinsheng Zhu, Zhanguo Wang, Two dimensional electron gas mobility limited by scattering of quantum dots with indium composition transition region in quantum wells, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 52，150-154（2013） 15.Guipeng Liu, Ju Wu, Guijuan Zhao, Shuman Liu, Wei Mao, Yue Hao, Changbo Liu, Shaoyan Yang, Xianglin Liu, Qinsheng Zhu, and Zhanguo Wang, Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures,Appl. Phys. Lett. 100, 082101 (2012) 16.Li, Huijie; Liu, Xianglin; Wang, Jianxia; Jin, Dongdong; Zhang, Heng; Yang, Shaoyan; Liu, Shuman; Mao, Wei; Hao, Yue; Zhu, Qinsheng; Wang, Zhanguo，Calculation of discrepancies in measured valence band offsets of heterojunctions with different crystal polarities，Journal of Applied Physics, 112（113712）2012 17.Liu, G. Wu, J. Lu, Y. Zhang, B. Li, C. Sang, L. Song, Y. Shi, K. Liu, X. Yang, S*. Zhu, Q. Wang, Z.，A theoretical calculation of the impact of GaN cap and AlxGa1-xN barrier thickness fluctuations on two-dimensional electron gas in GaN/AlxGa1-xN/GaN heterostructure，IEEE Transactions on Electron Devices, 58(12), 4272( 2011) 18.Xiaoqing Xu,Yan Guo,Xianglin Liu,Jianmin Liu,Huaping Song,Biao Zhang,JunWang,Shaoyan Yang,Hongyuan Wei,Qinsheng Zhu,Zhanguo Wang,’ GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer’, CrystEngComm 13,1580(2011)

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