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我们通过设计陶瓷组分结合先进的流延成型工艺，获得了具有超高储能密度的反铁电厚膜陶瓷。目前储能陶瓷的研究是比较热门的方向，特别是反铁电体由于独特的场致反铁电态-铁电态转变使得在储能方面独具优势。另外，传统固相法合成的块体陶瓷在厚度方面似乎难以取得突破。近年来许多实验室、企业都对陶瓷的流延成型逐渐青睐。
在本成果中我们通过流延成型将陶瓷厚度控制在微米级，这对于制作多层陶瓷电容器(MLCC)材料具有重要的指导意义。近些年在流延成型工艺上我们进行了大量的研究，摸索出了一套具有普适性的适用于铅基铁电/反铁电陶瓷组分的工艺参数，特别是在制备含铅反铁电陶瓷方面经验非常成熟。在本成果中制备出的PBSLZS厚膜陶瓷展现了极高的耐击穿电场强度和超高的储能密度，这对于陶瓷储能特别是反铁电陶瓷储能领域具有重要的指导意义，成果推广应用前景非常好。
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